热丝-等离子化学气相沉积,HF-PECVD
1)HF-PECVD热丝-等离子化学气相沉积
2)PAHFCVD等离子体热丝化学气相沉积
3)RF HFCVD射频等离子体增强热丝化学气相沉积
4)PE-HF-CVD热丝射频等离子体增强化学气相沉积
5)radio frequency plasma enhanced hot filament chemical vapor depositon热丝射频等离子体复合化学气相沉积
6)plasma chemical vapor deposition等离子体化学气相沉积
1.Influence of discharge current on hot cathodeplasma chemical vapor deposition of diamond films;放电电流对热阴极等离子体化学气相沉积金刚石膜影响
2.Effect ofplasma chemical vapor deposition parameters on electron property in Ar plasma;等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响
3.The relation between characteristics of hot cathode glow discharge and diamond film deposition techniques in hot cathode glow dischargeplasma chemical vapor deposition process was discussed.研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系。
英文短句/例句
1.plasma activated chemical vapour deposition等离子体化学气相沉积
2.Diamond thin films grown up by microwave plasma CVD微波等离子体化学气相沉积金刚石簿膜
3.WORKING PRINCIPLE OF MICROWAVE PLASMA CVD SET UP微波等离子体化学气相沉积装置的工作原理
4.Study on device of magneto-active PECVD;磁激活增强等离子体化学气相沉积设备的研制
5.TEM Study on Diamond Films Deposited by MPCVD;微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的电子显微学分析
6.Atmospheric-pressure Plasma Chemical Vapor Deposition for Polycrystalline Silicon Preparation from SiCl_4 and OES Diagnosis由SiCl_4制备多晶硅的大气压等离子体化学气相沉积及发射光谱诊断
7.ANALYSIS OF THE MORPHOLOGIES OF DIAMOND FILM GROWN BY MICROWAVE PLASMA CVD METHOD微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜形貌分析
8.NEW MICROWAVE PLASMA CVD SET UP FOR DIAMOND FILM GROWTH新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置
9.Research on High Quality Diamond Films in Microwave Plasma CVD;微波等离子体化学气相沉积法制备高质量金刚石膜研究
10.Study on Synthetic Silica Glass by Plasma Chemical Vapor Deposition;等离子体化学气相沉积合成石英玻璃的基础研究
11.New-style Nano-sheets Carbon Films Fabricated by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition微波等离子体化学气相沉积法制备的新型纳米片状碳膜(英文)
12.Hot cathode chemical vapor deposition method was established in order to deposit high-quality diamond films with high deposition rate.为快速沉积高品质金刚石膜,建立了热阴极等离子体化学气相沉积方法.
13.Study on Device of Magneto-active Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;磁激活等离子体增强化学气相沉积设备的研制
14.The Study on DLC Films Deposited by PECVD;等离子体增强化学气相沉积DLC膜的研究
15.Study on Characteristic of Si_3N_4 Nanopowder Prepared by ICPECVD;ICP等离子体增强化学气相沉积制备纳米粉体氮化硅特性研究
16.The Study of the Deposition of SiO_2 Films with RF Cold Plasma at Atmospheric-pressure;常压射频低温等离子体增强化学气相沉积二氧化硅薄膜的研究
17.Synthesis and Characterization of Carbon Nanotubes by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition;等离子体增强化学气相沉积制备碳纳米管及其表征
18.One-dimensional Nanomaterials: Plasma and Chemical Vapor-Phase Synthesis and Characterizations;等离子体及化学气相沉积法合成一维纳米材料及性能研究
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2.Effect ofplasma chemical vapor deposition parameters on electron property in Ar plasma;等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响
3.The relation between characteristics of hot cathode glow discharge and diamond film deposition techniques in hot cathode glow dischargeplasma chemical vapor deposition process was discussed.研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系。
延伸阅读
等离子体增强化学气相沉积等离子体增强化学气相沉积plasmaenhanced chemical vapor deposition等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
