催化化学气相沉积法,CCVD
1)CCVD催化化学气相沉积法
1.The SWCNTs growth byCCVD is strongly affected by catalysts, growth time and synthesis temperature .催化化学气相沉积法(CCVD)制备SWCNTs的过程中，催化剂的特性，反应时间，反应温度等反应条件的选择直接影响生成SWCNTs的质量。
英文短句/例句
1.Growth of Carbon Nanotubes from Methane by a Catalytic Chemical Vapor Decomposition Method;催化化学气相沉积法甲烷裂解制备纳米碳管
2.Fabrication of CMK-5 Mesoporous Carbon by the Chemical Vapor Deposite and Its Catalytic PropertiesCMK-5有序碳材料的化学气相沉积法合成及其催化研究
3.Ti/HMS Catalysts Prepared by the Chemical Vapor Deposition Method and Modified by Methyl-grafting化学气相沉积法制备Ti/HMS催化剂及甲基接枝改性
4.thermally activated chemical vapour deposition热活化化学气相沉积
5.plasma activated chemical vapour deposition等离子体化学气相沉积
6.epitaxial CVD growth外延化学气相沉积生长
7.Preparation of SiC Filament by Chemical Vapor Deposition;化学气相沉积法制备钨芯SiC纤维
8.Fabrication of Superconducting Magnesium Diboride Thin Film by Chemical Vapor Deposition;化学气相沉积法制备MgB_2超导薄膜
9.Research on the Preparation of Ultrafine Nickel Powder by Chemical Vapor Deposition化学气相沉积法制备超细镍粉的研究
10.Study on Synthesis of Carbon Nanofibers by Chemical Vapor Deposition Using K_2CO_3 Catalyst以K_2CO_3为催化剂气相沉积纳米碳纤维
11.Preparation of cobalt silicides and their catalytic property of naphthalene hydrogenation硅化钴的化学气相沉积制备及其萘加氢催化性能
12.Quantum chemistry methods and their applications to CVD reaction system化学气相沉积反应研究的量子化学方法及应用
13.Study on Preparation of Carbon Nanofibers by Chemical Vapor Deposition Using K/Ca Salts Catalysts以K/Ca盐为催化剂化学气相沉积纳米碳纤维的研究
14.Synthesis of high purity multi-walled carbon nanotubes over Co-Mo/MgO catalyst by the catalytic chemical vapor deposition of methaneCo-Mo/MgO催化剂上甲烷化学气相沉积制备高纯度多壁碳纳米管(英文)
15.Electro-catalytic behavior of boron-doped diamond films electrode prepared using hot filament chemical vapor deposition method热丝化学气相沉积制备BDD薄膜电极的电催化特性
16.Structural changes in carbon produced by a sulfur-aided catalytic chemical vapor deposition催化化学气相沉积过程中硫元素引发的炭形貌衍变(英文)
17.The Preparation of Carbon Nanomaterials with Coal Gas as Carbon Feedstock via CVD Technique;化学气相沉积法由煤气制备炭纳米材料的研究
18.Deposition of Al_2O_3 Thin Films by Electrostatic Spray Assisted Vapor Deposition Method静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜
相关短句/例句
Catalytic chemical vapor deposition催化化学气相沉积
1.Carbon nanotubes (CNTs) were prepared in batch process by catalytic chemical vapor deposition (CCVD) using a nano agglomerate bed.在纳米聚团床中用催化化学气相沉积法批量制备了碳纳米管 ,研究了过渡金属催化剂对碳纳米管形貌和产量的影响 。
2.Production of carbon nanotubes (CNTs) by catalytic chemical vapor deposition (CCVD) was studied using a nano-agglomerate fluidized bed with 44 mm inner diameter and 1000 mm height in the temperature range of 550~750oC.采用催化化学气相沉积法(CCVD),在550~750oC温度范围内,于内径44 mm、高1000 mm的石英管纳米聚团床中制备了碳纳米管;通过SEM, TEM, TGA等多种分析手段对碳纳米管产品的形貌和质量进行了分析;把相同条件下的纳米聚团床法与前人固定催化剂法的结果进行了比较,并考察了纳米聚团床中反应条件对碳纳米管生长的影响;通过对电镜照片和反应转化率动态数据的深入分析,对纳米聚团床中碳纳米管生长机理的特殊性进行了初步探讨。
3.Polysilicon thin films are deposited by catalytic chemical vapor deposition method.以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。
3)catalyst-enhanced chemical vapor deposition (CECVD)催化增强化学气相沉积
1.Pd/Pt and Pt/Pd bilayer films on polyimide are prepared by catalyst-enhanced chemical vapor deposition (CECVD) in the carrier gases of N2, O2 at 250～300 ℃under a reduced pressure and a normal pressure.以N2、O2作载气,采用催化增强化学气相沉积(CECVD)法,于250~300℃和减压/常压下制得沉积于聚酰亚胺(PI)上的Pt,Pd/Pt和Pt/Pd金属双层薄膜。
4)catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD)催化化学气相沉积(Cat-CVD)
5)Floating Catalytic Chemical Vapor Deposition浮游催化化学气相沉积
6)Chemical vapor deposition化学气相沉积法
1.Silica coating was prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition taking HP40 steel plate as substrate,tetraethyl orthosilicate as silica source,and air as carrier gas and diluent.以正硅酸乙酯为硅源物质、空气为载气和稀释气,采用常压化学气相沉积法在HP40钢表面制备了SiO2涂层;采用扫描电子显微镜和能量色散能谱表征了SiO2涂层的组织结构和表面形貌;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的结焦抑制能力。
2.Single-walled carbon nanotubes have been prepared from coal gas by catalytic chemical vapor deposition technique with ferrocene as catalyst, and electrochemistry analysis was carried on supercapacitance using nanotubes as electrodes.开发以煤气为碳源采用化学气相沉积法制备单壁碳纳米管,并对其作为超级电容器电极的电化学性能进行研究。
3.Carbon nanotubes (CNTs) is prepared by means of chemical vapor deposition (CVD) method.利用化学气相沉积法制备碳纳米管(carbonnanotubes,CNTs),分析了气源、催化剂及温度等因素对CNTs形貌和纯度的影响。
延伸阅读
气相沉积法气相沉积法
化学气相沉积(cvd)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(si3n4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。 成都森发橡塑有限公司然而，实际上， 反应室中的反应是很复杂的，有很多必须考虑的因素，沉积参数的变化范围是很宽的：反应室内的压力、晶片的温度、气体的流动速率、气体通过晶片的路程(如图所示)、气体的化学成份、一种气体相对于另一种气体的比率、反应的中间产品起的作用、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等。额外能量来源诸如等离子体能量，当然会产生一整套新变数，如离子与中性气流的比率，离子能和晶片上的射频偏压等。然后，考虑沉积薄膜中的变数：如在整个晶片内厚度的均匀性和在图形上的覆盖特性(后者指跨图形台阶的覆盖)，薄膜的化学配比(化学成份和分布状态)，结晶晶向和缺陷密度等。当然，沉积速率也是一个重要的因素，因为它决定着反应室的产出量，高的沉积速率常常要和薄膜的高质量折中考虑。反应生成的膜不仅会沉积在晶片上，也会沉积在反应室的其他部件上，对反应室进行清洗的次数和彻底程度也是很重要的。化学家和物理学家花了很多时间来考虑怎样才能得到高质量的沉积薄膜。他们已得到的结论认为：在晶片表面的化学反应首先应是形成“成核点”，然后从这些“成核点”处生长得到薄膜，这样淀积出来的薄膜质量较好。另一种结论认为，在反应室内的某处形成反应的中间产物，这一中间产物滴落在晶片上后再从这一中间产物上淀积成薄膜，这种薄膜常常是一种劣质薄膜。 成都森发橡塑有限公司cvd技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压cvd(lpcvd)，常压cvd(apcvd)，亚常压cvd(sacvd)，超高真空cvd(uhcvd)，等离子体增强cvd(pecvd)，高密度等离子体cvd(hdpcvd)以及快热cvd(rtcvd)。然后，还有金属有机物cvd(mocvd)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把mocvd认为是有机金属cvd(omcvd)。过去，对lpcvd和apcvd最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如si3n4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的sio2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出sio2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。而且，最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的cvd反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在pecvd和hdpcvd系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。 成都森发橡塑有限公司对许多金属和金属合金一个有趣的争论就是，他们是通过物理气相沉积(pvd)还是通过化学气相沉积(cvd)能得到最好的沉积效果。尽管cvd比pvd有更好的台阶覆盖特性，但目前诸如铜的子晶层和钽氮扩散层薄膜都是通过pvd来沉积的，因为现有的大量装置都是基于pvd系统的，工程技术人员对pvd方法也有较高的熟练程度。一些人建议，既然台阶覆盖特性越来越重要(尤其是在通孔边墙覆盖)，cvd方法将成为必不可少的技术。
