化学气相沉积法,Chemical vapor deposition
1)Chemical vapor deposition化学气相沉积法
1.Silica coating was prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition taking HP40 steel plate as substrate,tetraethyl orthosilicate as silica source,and air as carrier gas and diluent.以正硅酸乙酯为硅源物质、空气为载气和稀释气,采用常压化学气相沉积法在HP40钢表面制备了SiO2涂层;采用扫描电子显微镜和能量色散能谱表征了SiO2涂层的组织结构和表面形貌;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的结焦抑制能力。
2.Single-walled carbon nanotubes have been prepared from coal gas by catalytic chemical vapor deposition technique with ferrocene as catalyst, and electrochemistry analysis was carried on supercapacitance using nanotubes as electrodes.开发以煤气为碳源采用化学气相沉积法制备单壁碳纳米管,并对其作为超级电容器电极的电化学性能进行研究。
3.Carbon nanotubes (CNTs) is prepared by means of chemical vapor deposition (CVD) method.利用化学气相沉积法制备碳纳米管(carbonnanotubes,CNTs),分析了气源、催化剂及温度等因素对CNTs形貌和纯度的影响。
英文短句/例句
1.Preparation of SiC Filament by Chemical Vapor Deposition;化学气相沉积法制备钨芯SiC纤维
2.Fabrication of Superconducting Magnesium Diboride Thin Film by Chemical Vapor Deposition;化学气相沉积法制备MgB_2超导薄膜
3.Research on the Preparation of Ultrafine Nickel Powder by Chemical Vapor Deposition化学气相沉积法制备超细镍粉的研究
4.The Preparation of Carbon Nanomaterials with Coal Gas as Carbon Feedstock via CVD Technique;化学气相沉积法由煤气制备炭纳米材料的研究
5.Deposition of Al_2O_3 Thin Films by Electrostatic Spray Assisted Vapor Deposition Method静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜
6.Deposition of Y_2O_3 thin films by electrostatic spray assisted vapor deposition method静电辅助的气溶胶化学气相沉积法制备Y_2O_3薄膜
7.Growth of Carbon Nanotubes from Methane by a Catalytic Chemical Vapor Decomposition Method;催化化学气相沉积法甲烷裂解制备纳米碳管
8.Growth of SiC Crystal by High Temperature Chemical Vaporous Deposition(HTCVD)高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体(HTCVD)
9.Studies on the Synthesis and Characterization of One-Dimensional Carbon Nano Materials by Chemical Vapor Deposition Methods;一维碳纳米材料的化学气相沉积法合成及表征
10.Preparation of Wide Band Gap & Super-hard Thin Films by Chemical Vapor Deposition;化学气相沉积法制备宽带硬质薄膜材料
11.Preparation and Characterization of Aligned Carbon Nanotubes by Chemical Vapour Deposition;化学气相沉积法制备碳纳米管阵列及其表征
12.Controlled Fabrication of Carbon Nanotube Architectures by Chemical Vapor Deposition;化学气相沉积法可控制备碳纳米管组装体
13.Nanocrystalline Diamond Films Deposited by Hot Filament CVD热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜
14.Research on the Carbon Nano Onions Synthesized by CVD化学气相沉积法合成碳纳米洋葱的研究
15.A Ti_5Si_3 THIN FILM AND ITS COATING GLASS DEPOSITED BY ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD常压化学气相沉积法制备Ti_5Si_3薄膜及其镀膜玻璃
16.Low Temperature Synthesis of Nano Onion-like Fullerenes by CVD化学气相沉积法低温合成纳米洋葱状富勒烯
17.Growth of Carbon Nanofibers on Activated Carbon by Thermal CVD Method活性炭上化学气相沉积法生长纳米碳纤维
18.Preparation of Ultrananocrystalline Diamond Film by Chemical Vapor Deposition化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜
相关短句/例句
CVD化学气相沉积法
1.Well-aligned open-ended multi-walled carbon nanotube (MWCNT) arrays were prepared via chemical vapor deposition (CVD) method in porous anodic aluminum oxide (AAO) templates without depositing any transition metals as catalyst.在不加过渡金属做催化剂的前提下,利用化学气相沉积法在二次阳极氧化法制得的多孔氧化铝模板中制备沉积了定取向碳纳米管阵列。
2.In recent year, the helical carbon fibers are preparation by chemical vapor deposition method(CVD), which commercial acetylene as the carbon source, a nickel as catalyst, a sulfur compound as impurity, reaction temperature at 700～850℃.近年来螺旋形碳纤维的制备方法主要是化学气相沉积法 (CVD法 )。
3.In the present work, different shaped carbon nanotubes were produced by the generalCVD and the template method at different temperature (600 ℃,700 ℃) with the reaction gas of acetylene.以乙炔作为反应气 ,用化学气相沉积法 (CVD)和模板法在不同温度 (60 0℃、70 0℃ )下制备了不同形貌的碳纳米管 ,并采用TEM ,HRTEM ,SEM ,XRD ,Raman和充放电实验方法研究其形貌、结构和电化学嵌锂性能 。
3)chemical vapor deposition method化学气相沉积法
1.Multi-walled carbon nanotubes were synthesized bychemical vapor deposition method at the temperature of 750℃,using AB_5 hydrogen storage alloy as a catalyst,methane as a raw material.在750℃条件下,以AB5储氢合金为催化剂,甲烷为原料气,采用化学气相沉积法制备出多壁碳纳米管。
2.In this paper,we used the hot filamentchemical vapor deposition method to synthesize fine grain diamond films on silicon wafers aiming to exploit diamond"s acoustic properties.金刚石/硅声表面波基片的金刚石层晶粒的细化有利于传播能量损耗的降低,采用热丝化学气相沉积法进行了硅基体上沉积细晶粒金刚石工艺的初步探索。
4)CVD method化学气相沉积法
1.Multiwall carbon nanotubes were prepared byCVD method using Ni-Cu-Al catalyst and methane was the reactant gas for the use of synthesis MWNTs with inner diameter of 25~50 nm.采用共沉淀-凝胶法制备N i-Cu-A l催化剂,以甲烷为气源利用化学气相沉积法制备内径为25~50 nm的大孔径碳纳米管,研究了催化剂制备条件、反应温度以及反应气流速对碳纳米管和碳产率的影响。
5)chemical vapour deposition化学气相沉积法
1.Developments of diamond films by plasmachemical vapour deposition are reviewed in the paper.本文评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜的进展情况。
2.In this paper, NiCr alloy was vaporized on the silicon in vacuum as the catalyzer and synthesized Carbon NanoTubes (CNTs) film usingchemical vapour deposition.采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。
6)chemical vapor deposition(CVD)化学气相沉积法(CVD法)
延伸阅读
气相沉积法
气相沉积法
化学气相沉积(cvd)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(si3n4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。 成都森发橡塑有限公司然而，实际上， 反应室中的反应是很复杂的，有很多必须考虑的因素，沉积参数的变化范围是很宽的：反应室内的压力、晶片的温度、气体的流动速率、气体通过晶片的路程(如图所示)、气体的化学成份、一种气体相对于另一种气体的比率、反应的中间产品起的作用、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等。额外能量来源诸如等离子体能量，当然会产生一整套新变数，如离子与中性气流的比率，离子能和晶片上的射频偏压等。然后，考虑沉积薄膜中的变数：如在整个晶片内厚度的均匀性和在图形上的覆盖特性(后者指跨图形台阶的覆盖)，薄膜的化学配比(化学成份和分布状态)，结晶晶向和缺陷密度等。当然，沉积速率也是一个重要的因素，因为它决定着反应室的产出量，高的沉积速率常常要和薄膜的高质量折中考虑。反应生成的膜不仅会沉积在晶片上，也会沉积在反应室的其他部件上，对反应室进行清洗的次数和彻底程度也是很重要的。化学家和物理学家花了很多时间来考虑怎样才能得到高质量的沉积薄膜。他们已得到的结论认为：在晶片表面的化学反应首先应是形成“成核点”，然后从这些“成核点”处生长得到薄膜，这样淀积出来的薄膜质量较好。另一种结论认为，在反应室内的某处形成反应的中间产物，这一中间产物滴落在晶片上后再从这一中间产物上淀积成薄膜，这种薄膜常常是一种劣质薄膜。 成都森发橡塑有限公司cvd技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压cvd(lpcvd)，常压cvd(apcvd)，亚常压cvd(sacvd)，超高真空cvd(uhcvd)，等离子体增强cvd(pecvd)，高密度等离子体cvd(hdpcvd)以及快热cvd(rtcvd)。然后，还有金属有机物cvd(mocvd)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把mocvd认为是有机金属cvd(omcvd)。过去，对lpcvd和apcvd最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如si3n4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的sio2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出sio2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。而且，最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的cvd反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在pecvd和hdpcvd系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。 成都森发橡塑有限公司对许多金属和金属合金一个有趣的争论就是，他们是通过物理气相沉积(pvd)还是通过化学气相沉积(cvd)能得到最好的沉积效果。尽管cvd比pvd有更好的台阶覆盖特性，但目前诸如铜的子晶层和钽氮扩散层薄膜都是通过pvd来沉积的，因为现有的大量装置都是基于pvd系统的，工程技术人员对pvd方法也有较高的熟练程度。一些人建议，既然台阶覆盖特性越来越重要(尤其是在通孔边墙覆盖)，cvd方法将成为必不可少的技术。
