金属有机化学气相淀积,MOCVD
1)MOCVD金属有机化学气相淀积
2)mocvd有机金属化学汽相淀积
英文短句/例句
1.metallo organic chemical vapor deposition有机金属化学汽相淀积
2.photochemical vapor deposition oxide光化学汽相淀积氧化物
3.Simulation and optimization design in MOCVD reactor金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化
4.cvd polysilicon化学汽相淀积多晶硅
5.plasma chemical vapor deposition等离子体化学汽相淀积
6.modified chemical vapor deposition改进的化学汽相淀积
7.chemical vapor deposition reactor化学汽相淀积反应器
8.The Praparation and Chemical Mechanism of Functional Graded Materials Using Metal Organic Chemistry Vapour Deposition;金属有机化学气相沉积法制备功能梯度材料的方法和机理的研究
9.Research on Preparing Yttria Coatings by Metalorganic Chemical Vapor Deposition;金属有机化学气相沉积法制备氧化钇涂层的探索研究
10.Growth of ZnO Films on Different Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition不同衬底上氧化锌薄膜的金属有机化学气相沉积方法生长(英文)
11.Iridium Film Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究
12.Metal Organic Chemical Vapor Deposition( MOCVD) is a key technology in growing thin-films.金属有机化学气相沉积(OCVD)一门制备薄膜材料的关键技术。
13.Synthesis and Characterization of Novel Copper（Ⅰ）Complexes as Precursors for Metal-Organic Chemical Vapor Deposition;Cu（Ⅰ）金属有机化学气相沉积前驱物的合成与表征
14.A New Preparation Technology of Mica Pearlescent Pigment by Metal Organic Chemistry Vapour Deposition (MOCVD) and Their Application;金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备云母珠光颜料新工艺及应用研究
15.The triangular pits eliminate of (110) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
16.A novel high reflectivity type of semiconductor saturable absorption mirror grown by metal organic chemical vapor deposition is presented.利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.
17.Studies of Metal Oxides Film Synthesized by Themal Vapor Phase Transport and Condensation;金属氧化物薄膜的热汽相沉积法制备研究
18.thermochemistry of organometallic compounds有机金属化合物热化学
相关短句/例句
mocvd有机金属化学汽相淀积
3)MOCVD金属有机化合物化学气相淀积
1.This paper presents a new fuzzy predictive control method for theMOCVD device control system set to handle the non-linearity,time variability and large delay of plant controls.为解决金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题,给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的复合控制方法。
4)MOCVD金属有机物化学气相淀积
1.The GaN-based wafers for UV photodetectors array are grown successfully byMOCVD method.报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料,生长的高Al组分AlxGa1-xN(x≥0。
5)metal organic chemical vapor deposition金属有机物化学气相淀积
1.The device structure is optimized firstly,then the structure is grown bymetal organic chemical vapor deposition(MOCVD).首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。
2.The p-type GaN(p-GaN) samples grown at low temperature 870—980℃ on sapphire substrate were prepared by themetal organic chemical vapor deposition technique(MOCVD), and their electrical properties were investigated.采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN)。
6)metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
1.36N multiple quantum wells(MQWs)structure for deep ultraviolet emission has been grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0。
延伸阅读
金属有机化学气相外延金属有机化学气相外延metal-organic chemical vapour phase epitaxyJ Jnshu youjr huoxueq一x旧ng wolyan金属有机化学气相外延(metal一organicchemieal vapour epitaxy，M()VpE)娜种半导体薄膜材料制备的方法，也用于制备金属或化合物薄膜。它的原理是以金属有机化合物和烷类化合物的热解和化合等化学反应为基础的。以生长GaAs薄膜为例，其反应为:CH3Ga(v)+AsH3(v)一GaAs(s)+3CH4(g)但其机理包括化学动力学和流体力学等则较复杂。因为MOVPE的生长条件，例如生长温度、MO源的分压、Ga/AS比以及气体流速等都能影响外延层的性能。MOVPE与分子束外延(MBE)一样已成为生长化合物半导体薄膜的重要方法。其原因是:(l)在MOCVD过程中只要置换或增加有机源和烷类，就可以在单温区的炉中生长各种组元和组分的异质和同质化合物薄膜，例如GaAs，GaAIAs、GalnAssb;HgedTe等薄膜;(2)MOVPE可以获得超高纯和超薄层的薄膜。最近MOCVD GaAs的脚8K和室温浓度分别已达33500oem2/(V·s)和1·6只10‘3/em‘，并已制得界面宽度为0.15nm半导体超晶格和量子阱结构薄膜;(3)MOCVD可以生长含铝和含磷的多元化合物薄膜，这些难以用气相外延(VPE)和MBE方法制得;(4)MOvPE可以大规模生长低价格的新型薄膜。用市售MOVPE设备在一炉内已生长出20片50mm的GaAs圆片，厚度不均匀性簇8%。从60年代末以来，MOVPE主要集中在化合物半导体薄膜生长方面。80年代开始，它为“能带工程”研制了许多新型薄膜结构材料，其中主要有应变层超晶格、多量子阱、调制掺杂、原子层和原子掺杂以及硅衬底上生长l一v或卜班族化合物的异质薄膜等。最近也报道了MOvPE生长四元高温超导薄膜的良好结果。利用这些材料已制成叠层和双结串联太阳电池、应变层多量子阱激光器、高速电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管、超晶格长波长红外探测器、光电集成电路等。为了适应新型器件和集成电路的发展，研制新的金属有机源或前置体源，以降低毒性或扩大MOVPE薄膜的品种，开展低压、激光和等离子MOVPE薄膜生长，以控制精确图形和突变界面;进行原子层和原子掺杂外延，以获得高质量的超晶格和量子阱器件等已成为目前MOVPE薄膜生长的方向。 (彭瑞伍)
