IC设计-存储器分类汇总（区别RAM ROM SRAM DDR EEPROM FLASH）

1、存储器分类图

2、用分类对比的方法介绍不同的存储器特点

2.1存储器按照用途分类：

可以分为主存储器（内部存储）和辅助存储器（外部存储）。主存储器是指CPU能直接访问的，有内存、一级/二级缓存等，一般采用半导体存储器；辅助存储器包括软盘、硬盘、磁带、光盘、磁盘阵列等，CPU不能像访问内存那样，直接访问外存，外存要与CPU或I/O设备进行数据传输，必须通过内存进行。

2.2存储器按照存储介质分类：

将存储器分为半导体存储、光学存储和磁性存储三大类。上面这张存储器分类图中，在半导体存储器大类中，按照存储器的实现技术原理来进行详细分类。

2.3RAM和ROM ：

ROM和RAM都是一种存储技术，只是两者原理不同，RAM为随机存储，掉电不会保存数据，而ROM可以在掉电的情况下，依然保存原有的数据。ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是说这种存储器只能读，不能写。而RAM是Random Access Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存，而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备，RAM则可以随机读写。

& 随机存取（有时亦称直接访问）代表同一时间访问一组序列中的一个随意组件。反之则称循序访问，即是需要更多时间去访问一个远程组件。随机存取存储器的基本结构可分为三个部分：存储矩阵，地址译码器，读写电路。直接存取，访问时读写不见先直接指向一个小区域，再在该区域内 顺序查找，访问时间与数据位置有关（ 磁盘）

2.4SRAM和DRAM:

RAM可分为静态存储器（Static Random Access Memory,SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory）。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器，只有0，1两个稳态；DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态，因此需要定时对其进行刷新，否则随着时间的推移，电容其中存储的电荷将逐渐消失。

2.5EEPROM和FLASH：

ROM（只读存储器）按其内容写入方式，一般分为3种：固定内容ROM；可一次编程PROM；可擦除ROM，又分为EPROM（紫外线擦除电写入）和EEPROM（电擦除电写入）等类型。EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的ROM来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。目前大多数EPROM芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。

FLASH属于广义的EEPROM全称是FLASH EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它FLASH。FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需修改的数据。

2.6NOR FLASH和NAND FLASH:

FLASH分为NOR FLASH和NAND FLASH 。NOR FLASH数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节,但是擦除仍要按块来擦。NAND FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。由于NAND FLASH 引脚上复用，因此读取速度比NOR FLASH慢一点，但是擦除和写入速度比NOR FLASH快很多。NAND FLASH内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND型的,例如SSD、U盘、SD卡、EMMC存放数据。因此小容量的2～12M的FLASH多是NOR型的，NOR FLASH比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR FLASH。

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