ROM、RAM和FLASH的区别是什么？

SRAM、DRAM、PROM、EPROM、EEPROM

一.性能对比

1.ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。

ROM是Read Only Memory（只读存储器）的缩写，里面数据在正常应用的时候只能读，不能写，存储速度不如RAM；

RAM是Random Access Memory（随机存取存储器）的缩写，之所以叫随机存储器是因为：当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所在的位置或写入的位置无关。

2.RAM主要分为两大类：SRAM和DRAM。

SRAM为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，静态指的不需要刷新电路，数据不会丢失，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM为动态RAM(DynamicRAM/DRAM)，动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。

SDRAM是同步（S指的是synchronous）DRAM，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步；DDR、DDR2、DDR3都属于SDRAM，DDR是Double DateRate的意思，三种指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，现在出了DDR4，也是同一系列。

NVRAM（ Non-Volatile Random Access Memory） 是非易失性随机访问存储器，指断电后仍能保持数据的一种RAM。

3.ROM分为PROM、EPROM、EEPROM

PROM：（P指的Programmable）可编程ROM，根据用户需求，来写入内容，但是只能写一次，就不能再改变了；EPROM：ErasableProgrammable（可擦除可编程），PROM的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除；EEPROM：ElectricallyErasableProgrammable（带电可擦除可编程）升级版，可以多次编程更改，使用电擦除。

4.FLASH存储器又称闪存，掉电不丢失数据，容量大，价格便宜。

它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。

分为NAND FLASH和NOR FLASH，

NOR FLASH读取速度比NAND FLASH快，但是容量不如NAND FLASH，价格上也更高，但是NOR FLASH可以芯片内执行，样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NANDFLASH密度更大，可以作为大数据的存储。

二.价格对比

RAM价格相比ROM和FLASH要高。

三.容量对比

RAM的容量是最小比ROM和FLASH容量相对较小，RAM的特点是可读可写，给存储器断电后，里面存储的数据会丢失。我们经常说的内存，比如计算机的内存，手机的内存，包括CPU里用的高速缓存，都属于RAM这类存储器。

ROM和FLASH容量比RAM的容量相对较大。一般定制一个ROM修改系统版本信息都在这里面。（system）为系统所在目录，相当于PC系统的Windows文件夹，（boot.img）是一个镜像文件，就是所谓的内核核心，一般移植ROM的时候会用到。

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