存储器
ram: 随机存取存储器 DRAM: 须定时刷新, 集成度高, 功耗低, 成本低(内存条, 主内存) FPM DRAM: 快速页面模式DRAM, 同一页不会重复送出列地址EDO DRAM: 扩展数据输出DRAM, 原理同FPM, 缩短等待时间, 快15%~30%BEDO DRAM: 突发式EDO DRAM, 每次可传输一批数据(EDO一次传一组), 性能提高40%SDRAM: 同步DRAM, 可与CPU外部工作时钟同步, 去掉时间的延迟 SRAM: 速度比DRAM快(高速缓冲存储器Cache)REGISTERED内存: 底部较小的集成电路芯片(x2~3), 提高驱动能力, 使服务器可支持高达32GB内存ECC内存: 错误检查与校正内存, 提供了强有力的数据纠正系统, 能检测多位错, 定位错误和在传输到CPU前纠正错误, 检测多位错时产生报警信息. 不能同时更正多位错 rom: 只读存储器, 非易失 rom: 不能编程prom: 可以写入一次eprom: 多次擦写, 需要在紫外线照一下eeprom: 任意修改 狭义EEPROM:广义EEPROM: flash nor flash: 字节读, 块擦除nand flash: 页读取, 块擦除ROM&RAM
EEPROM
可随机访问/修改任意字节, 可向每个bit写入0/1, 掉电不丢失电路复杂成本高, 通常几k字节, 很少超过512kflash
nor flash
数据线与地址线分开, 像ram一样随机寻址, 可读取任一字节(无页), 按块擦除小容量(2~12M居多)损坏无法使用字节寻址, 程序可在nor flash中运行: 嵌入式系统常用小容量的nor flash存储引导代码, 用大容量的nand flash存放文件系统和内核
nand flash
数据线与地址线复用, 不能随机寻址, 读取只能按页读取, 按块擦除读取速度慢, 擦写速度块数据密度大, 体积小, 成本低大容量居多擦除次数是norflash数倍可标记坏块, 使软件跳过坏块
flash
每页: 256 Byte (2048 bit)
每扇区: 16页
每块: 16扇区
最小擦除单位：扇区
可选择擦除单位：扇区、块、全片
最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。
最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。
未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。
只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。
示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。
