微电子技术（三）
“IC”技术的新应用
随着集成电路材料的更新和制造技术的不断改进，追求大容量、高运速集成电路的愿望逐步得到实现。
一、DRAM技术的突破
在微电子元件技术领域中，日、美、苏、西欧各国，都竞相推出最新产品，使计算机的基础器件——“动态随机存取存储器”（DRAM）的开发，出现了你追我赶的浪头。尽管这种技术的开发仍存在许多困难，但进展还算比较顺利，日、美等国已先后试制出来。
二、各种“IC”纷呈显能
超大规模集成电路的出现，促进了各种各样的用途各异、性能不同的电路器件，使人感到眼花缭乱，目不暇接。
在短短的几年里，接连出现了以双极晶体管作为基本有源元件的“双极集成电路”；以金属-氧化物-半导体场效应晶体管作为电路的基本有源元件的“MDS集成电路”，以半导体技术和薄膜技术结合起来制作的“混合集成电路”；工作在微波频段的“微波集成电路”；能进行二进制数字逻辑运算并能进行变换的“逻辑集成电路”；以能够完成数字运算功能的“数字集成电路”；以大量逻辑门器件按照不伺逻辑表达式组成各种各样组合电路的“可编程序逻辑阵列”，以及以按照用户的规格要求，能够以低成本、短交货期完成的适于少量生产的大规模集成电路的“特别应用集成电路”（ASIC）等等。正由于有了这些各具特点的基础器件，才使得微电子技术的应用更加广泛，不断出现新发展。
三、“IC”的广泛应用
集成电路集成度的提高和多样化，增强了计算机的运算速度和传递质量，并可赋予人工智能。正是由于这个关键的影响，使运速成几何级数增长。在70年代前后为每增长10倍，而80年代左右为每增长100倍。80年代中期的运算能力是10MIPS/立方米(每立方米每秒百万条指令)，预计90年代初可达100MIPS/立方米，90年代后期将达1000-1万MIPS/立方米，目前已出现每秒亿亿次的超级大型计算机系统。当前正在研制的光计算机，运算速度可达每秒1亿亿-1百亿亿次，存储容量可达千亿亿位。
集成电路的用途十分广泛，要讲微电子技术渗透性强，首先要属集成电路的渗透性最强，无孔不入，无所不用。但最大的用户应属计算机，尤其近十几年来微型机的浪潮席卷工业、科技、金融财贸，几乎无处不用。集成电路还广泛应用于机床程控和自动化，各种通信、信号测量、乃至家用电气中的电视机、录音机、录像机、电冰箱、电子琴、照相机、电子表等等。而在国防军事系统里，各种武器装备对集成电路更是不可或缺的电子控制系统中的关键器件。人们常说的髙技术武器装备，最主要的内容就是电子化，而电子则又是以微电子为龙头的核心与基础技术的广泛应用。除常规武器外，精确制导武器，特别是指挥、控制、通信和情报四位一体的C3I系统，更是它们的核心部件。
美国国防部早在1980年就制订并实施了一项被称为“面向 21世纪的军用高技术发展计划”——“超高速集成电路（VHSIC）计划”。所谓“超高速集成电路”，实际上就是符合军用要求的“超大规模集成电路”。这项计划的主要目的就是推动先进的微电子技术在军事上的应用，提高军用电子系统性能以保持武器装备的质量优势，并保持军事技术的领先地位，带动整个微电子工业的发展和提高在国际市场上的竞争能力。美国防部预计用时间，投资10亿美元。这项计划实施顺利，到1990年已基本实现，并收到成效。这项计划对超大规模集成电路的工艺发展，起了重大作用，而在军事应用的潜力更加可观。采用这种超高速集成电路的军用电子系统将具有许多独特优点，一是可减小军用电子系统的体积和重量，例如某战斗机的某个电子系统采用一般集成电路，就需要7500块，而使用这种集成电路只需要25块，重量则由450公斤下降到4.5公斤，功耗由5千瓦减到25瓦；二是可提高系统性能，机载APG-66火控雷达使用这种器件后，使信号处理速度提高10倍；三是可提高系统的可靠性和抗热核与电子辐射能力，使设备平均故障间隔时间增长达数年之久。
美国军方通过试用这种新型“IC”后，已使武器装备上的电子 系统面貌发生了根本性变化，极大地提高了战场情报获取、指挥、控制、通信、目标识别、精确制导和电子战的能力。这种新型集成电路将广泛应用于战略巡航导弹、超高分辨率的合成孔径雷达、电子侦察设备等，并将用以改造老设备，使F-14、F-16、F-18等型战斗机、“爱国者”和“霍克”地空导弹等武器系统得以延长使用寿命。
毫无疑问，微电子技术的发展，将是无可限量的，今后的发展和广泛应用，必将以更快的步伐继续走下去。
