看了这个问题，感觉题主眼中的芯片制造和生产家电类似，有了世界先进水平的光刻机和刻蚀机，一按按钮，先进的芯片就生产出来了。实话实说，这是对芯片制造难度的误解。
一枚先进半导体芯片的诞生，要经历四个阶段：设计、制造、检测和封装，每一个阶段出现短板，都会拉低芯片性能。这其中，芯片检测和封装技术难度最低，目前我国已经掌握。
我国在高性能先进芯片上，缺少内核原创设计
但在高性能先进芯片设计上，我国同样存在短板。看到这里，有人会问，我们不是有华为海思这样的先进芯片设计公司吗，麒麟980已经和高通骁龙平起平坐，开始追赶苹果A系列芯片了，还能说有短板？
真的有。麒麟芯片中的CPU、GPU采用的是ARM的公版内核，也就是买的IP核授权，然后华为将它们和NPU、ISP、基带芯片等集成到一起，这就是麒麟系列芯片。可以看出，海思目前还不能做CPU、GPU内核的原创设计。
海思尚且如此，其它实力逊色一筹的芯片设计公司就更不用说了。
与英特尔、AMD等传统芯片商自己设计原创内核不同，海思的设计模式和高通、三星、联发科一样，都是从ARM购买设计好的CPU或GPU内核，然后做集成设计。能力强的，可以修改调整内核的逻辑电路模块，俗称“魔改”；省事的话，直接购买公版。“Mali"是ARM的GPU内核品牌，”Cortex-A"是ARM的CPU内核品牌，凡出现这两个品牌名，即可认为该芯片采用了ARM的公版内核设计。
可以说，缺少CPU和GPU的内核原创设计，是影响我国高性能先进芯片的最大障碍。
离最先进的芯片制造工艺还有四代差距
目前国内最先进的芯片制造厂是中芯国际，其最先进而且已经量产的制程工艺是14nm，12nm工艺制程的研发取得了突破，但与台积电的差距依然不小。
台积电目前量产的制程工艺是7nm，已经运用到苹果A12、骁龙855、麒麟980等芯片上，明年将导入5nm制程工艺。
中芯国际和台积电差着12nm、10nm、7nm、5nm，有着四代差距。这四代工艺制程差距，不是靠先进的设备可以一下弥补的。
芯片的制造技术主要有3大类：组件技术、集成技术和批量生产技术。这三大类技术对应芯片制造的两个阶段：研发和正式量产。
组件技术是指芯片制造工序的最小单位的工艺技术，包括成膜、光刻、蚀刻、抛光、离子注入、清洁等数十道工艺技术，而每一道工艺技术就称为一个组件技术。简单说就是，一个组件技术就是一道工序，这几十道工序必须无差错才能制造出合格的芯片，而光刻机和蚀刻机不过是负责数十道工序中的两道而已。
将这几十道工序结合到一起，构建出一整套工艺流程的技术，叫芯片制造的集成技术。组件技术和集成技术研发成功后，会进入下一个阶段：批量生产技术。只有这三大技术完成，芯片制造工艺的研发才算大功告成。
对芯片制造厂来说，先进设备只是关键的一环，不是全部，实际上，人才才是最关键的因素。人才的短缺，使得国产芯片制造厂即使得到先进制造设备，也难以制造出先进芯片。
左一为梁孟松。梁孟松加入中芯国际后，创造298天让中芯国际研发成功14nm工艺制程的记录。
说到人才，就不得不说中芯国际联席首席执行官梁孟松。梁孟松被业界称为芯片狂人，早年离开台积电加盟三星半导体后，让三星在制程工艺上实现了对台积电的反超。
国产芯片制造厂除缺乏梁孟松这样的大牛外，也缺乏能蹲生产线的工程师。这个缺口在未来估计有40万人。
说一千道一万，芯片制造是一个复杂的系统工程，需要每个环节都消除短板，不同于好莱坞电影中一两个超级英雄就能拯救世界，因此仅有先进的光刻机和蚀刻机是远远不够的。
