低压金属有机化学气相沉积,LP-MOCVD
1)LP-MOCVD低压金属有机化学气相沉积
1.InAs Self-assembled Quantum Dots Grown on (001)InP byLP-MOCVD;报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80me
2)LPMOCVD低压金属有机化学气相沉积
1.High-quality GaN film was successfully deposited on(0001)-oriented sapphire substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition(LPMOCVD) process.采用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)法,成功地在(0001)晶向的蓝宝石(A l2O3)衬底上制备了高质量的GaN薄膜。
3)MOCVD金属有机化学气相沉积
1.The Influential Factors ofMOCVD Growth of InP in Opals;金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared byMOCVD process;金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
英文短句/例句
1.The Praparation and Chemical Mechanism of Functional Graded Materials Using Metal Organic Chemistry Vapour Deposition;金属有机化学气相沉积法制备功能梯度材料的方法和机理的研究
2.Research on Preparing Yttria Coatings by Metalorganic Chemical Vapor Deposition;金属有机化学气相沉积法制备氧化钇涂层的探索研究
3.Growth of ZnO Films on Different Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition不同衬底上氧化锌薄膜的金属有机化学气相沉积方法生长(英文)
4.Metal Organic Chemical Vapor Deposition( MOCVD) is a key technology in growing thin-films.金属有机化学气相沉积(OCVD)一门制备薄膜材料的关键技术。
5.Synthesis and Characterization of Novel Copper（Ⅰ）Complexes as Precursors for Metal-Organic Chemical Vapor Deposition;Cu（Ⅰ）金属有机化学气相沉积前驱物的合成与表征
6.A New Preparation Technology of Mica Pearlescent Pigment by Metal Organic Chemistry Vapour Deposition (MOCVD) and Their Application;金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备云母珠光颜料新工艺及应用研究
7.Iridium Film Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究
8.The triangular pits eliminate of (110) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
9.metallo organic chemical vapor deposition有机金属化学汽相淀积
10.Simulation and optimization design in MOCVD reactor金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化
11.Morphology and defect of a-GaN grown by metal orgamic chemical vapor deposition利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
12.Fluorides CVD Methods for Refractory Metal In CIS Countries (Ⅰ)独联体国家的难熔金属氟化物化学气相沉积技术（上）
13.Carbon nanotube reinforced metal matrix composites fabricated by in-situ chemical vapor deposition原位化学气相沉积法制备碳纳米管增强金属基复合材料
14.thermally activated chemical vapour deposition热活化化学气相沉积
15.plasma activated chemical vapour deposition等离子体化学气相沉积
16.epitaxial CVD growth外延化学气相沉积生长
17.Effects of deposition parameters on CVD nanocrystalline diamond thin films沉积参数对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
18.Diamond thin films grown up by microwave plasma CVD微波等离子体化学气相沉积金刚石簿膜
相关短句/例句
LPMOCVD低压金属有机化学气相沉积
1.High-quality GaN film was successfully deposited on(0001)-oriented sapphire substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition(LPMOCVD) process.采用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)法,成功地在(0001)晶向的蓝宝石(A l2O3)衬底上制备了高质量的GaN薄膜。
3)MOCVD金属有机化学气相沉积
1.The Influential Factors ofMOCVD Growth of InP in Opals;金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared byMOCVD process;金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
4)MOCVD有机金属化学气相沉积
1.Effect of Growth Cycle on SiO_2-InP Fabricated byMOCVD;生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO_2-InP光子晶体的影响
5)Metalorganic chemical vapor deposition金属有机化学气相沉积
1.Phosphorus-doped p-type ZnO thin films are prepared on glass substrates by metalorganic chemical vapor deposition.利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜。
2.p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱。
6)metal-organic chemical vapor deposition金属有机化学气相沉积
1.High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates bymetal-organic chemical vapor deposition at 300℃.采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜。
2.The ZnO films, grown on sapphire or silicon substrates, have been investigated by several methods such as Molecular Beam Epitaxy, Sputtering, andmetal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and so on.生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层外延、磁控溅射和蒸发等其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜质量较高。
延伸阅读
金属有机化学气相外延金属有机化学气相外延metal-organic chemical vapour phase epitaxyJ Jnshu youjr huoxueq一x旧ng wolyan金属有机化学气相外延(metal一organicchemieal vapour epitaxy，M()VpE)娜种半导体薄膜材料制备的方法，也用于制备金属或化合物薄膜。它的原理是以金属有机化合物和烷类化合物的热解和化合等化学反应为基础的。以生长GaAs薄膜为例，其反应为:CH3Ga(v)+AsH3(v)一GaAs(s)+3CH4(g)但其机理包括化学动力学和流体力学等则较复杂。因为MOVPE的生长条件，例如生长温度、MO源的分压、Ga/AS比以及气体流速等都能影响外延层的性能。MOVPE与分子束外延(MBE)一样已成为生长化合物半导体薄膜的重要方法。其原因是:(l)在MOCVD过程中只要置换或增加有机源和烷类，就可以在单温区的炉中生长各种组元和组分的异质和同质化合物薄膜，例如GaAs，GaAIAs、GalnAssb;HgedTe等薄膜;(2)MOVPE可以获得超高纯和超薄层的薄膜。最近MOCVD GaAs的脚8K和室温浓度分别已达33500oem2/(V·s)和1·6只10‘3/em‘，并已制得界面宽度为0.15nm半导体超晶格和量子阱结构薄膜;(3)MOCVD可以生长含铝和含磷的多元化合物薄膜，这些难以用气相外延(VPE)和MBE方法制得;(4)MOvPE可以大规模生长低价格的新型薄膜。用市售MOVPE设备在一炉内已生长出20片50mm的GaAs圆片，厚度不均匀性簇8%。从60年代末以来，MOVPE主要集中在化合物半导体薄膜生长方面。80年代开始，它为“能带工程”研制了许多新型薄膜结构材料，其中主要有应变层超晶格、多量子阱、调制掺杂、原子层和原子掺杂以及硅衬底上生长l一v或卜班族化合物的异质薄膜等。最近也报道了MOvPE生长四元高温超导薄膜的良好结果。利用这些材料已制成叠层和双结串联太阳电池、应变层多量子阱激光器、高速电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管、超晶格长波长红外探测器、光电集成电路等。为了适应新型器件和集成电路的发展，研制新的金属有机源或前置体源，以降低毒性或扩大MOVPE薄膜的品种，开展低压、激光和等离子MOVPE薄膜生长，以控制精确图形和突变界面;进行原子层和原子掺杂外延，以获得高质量的超晶格和量子阱器件等已成为目前MOVPE薄膜生长的方向。 (彭瑞伍)
