1965年，偶国科学院成果研制出65型接触式光刻机。但是很可惜，在80年代大家放弃了电子工业的自主攻关，光刻机等科技计划被迫下马。
大家来回顾一下，偶国光刻机的发展历程1978年，偶国在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。1981年，偶国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。1982年，偶国科学院研制的KHA-75-1光刻机，该光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。1985年，机电部研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。
这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。
但是到了80年代，偶国开始大规模引进外资，有了“造不如买”的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。
90年代，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达，这个技术非常关键，这直接导致ASML和台积电在线如此强势的关键。
从那时起，大家在光刻机方面就足足落后ASML20多年。
21世纪以来，大家光刻机的发展历程2002年，上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目。至，上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机。
4月，北京华卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审，具备投产条件。
为国产浸没光刻机产品化奠定坚实基础。作为世界上第二家掌握双工件台核心技术的公司，华卓精科成功打破了ASML公司在工件台上的技术垄断。
6月21日，偶国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。11月29日，偶国研制的“超分辨光刻装备”通过验收。
光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
目前看到，偶国目前的光刻机技术要和ASML相比的话，至少有以上的差距，短时间内是追不上的，还需要继续努力。
