如果半导体是人类工业史上的一顶皇冠，那么光刻机就是这顶皇冠上的明珠。
光刻机又名曝光机，是生产大规模集成电路的关键设备，将电路结构临时”复制”到涂有光刻胶硅片上的过程，制造和维护需要高度的光学和精密制造技术。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大，全世界只有少数几家公司能制造。
目前世界最先进的光刻机是荷兰ASML（阿斯麦）生产的EUV（极紫外光源）光刻机，它核心技术集中在四大领域：顶级的光源（极紫外光系统）、高精度的镜头（物镜系统）、精密仪器制造技术（工作台）、高端化学材料。
极紫外光系统来自于美国公司Cymer，一种波长极短的极紫外光，该技术是使用激光产生等离子源产生13nm的紫外波长。这种光源工作在真空环境下，产生紫外波长，然后由光学聚焦形成光束，光束经由用于扫描图形的反射掩膜版反射，由于极紫外光的固有特性，产生极紫外光的方式十分低效。能源转换效率只有 0.02% 左右。
蔡司镜头
高精度镜头采用蔡司技术，蔡司是德国历史悠久的光学仪器厂商，其产品向来是“高贵”的代名词。同样的一个镜片，不同工人打磨，光洁度相差十倍。镜片材质均匀，更需要几十年甚至上百年的技术沉淀，EUV光刻机采用的镜头要求：制作一个地球面积大小的镜头，误差在一根头发大小。
精密工作台，工作台要求：绝对稳定的工作环境，芯片的曝光必须在真空中，并且采取恒温技术，工作室的空气要比外界干净1万倍，工作台高速运动期间，系统不能振动。而光刻机要多的事情，就好比在真空、恒温、无尘、高速运动的环境中，在一粒米上雕刻清明上河图，机械动作误差为皮秒（百万分之一秒），这些基本都是挑战人类极限的工作。
高端化学材料：光刻还需要大量的高端化学材料，如光刻胶等，这些高端化学材料又掌握在日本企业手里。
单台EUV设备里超过十万个零件、4万个螺栓，以及3000多条线路。仅仅软管加起来，就有两公里长，这么一台庞大的设备，重量足足有180吨。安装调试就需要几个月。
美国封杀华为的主要方法就是“断芯”。
一是禁止美国芯片公司向华为出售芯片；二是禁止芯片制造公司为华为制作芯片；三是禁止中国企业购买含有美国技术的先进光刻机。
美国对华为的芯片禁令，首当其冲的就是麒麟芯片，然而还不止这些。
麒麟芯片
华为海思设计的芯片，AI芯片 昇腾系列、服务器芯片 鲲鹏系列、5G通讯芯片 巴龙、天罡系列、路由器芯片 凌霄系列等，这些芯片也全部受到美国限制。
没有芯片，再好的产品都做不出来，而如今破解芯片问题的关键就在光刻机。
那么中国有没有能够制造光刻机的企业呢？制造水平有多高呢？和ASML的极紫外光刻机差距多少呢？
大家一起来看看上海微电子。
上海微电子装备有限公司坐落于张江高科技园区内，邻近国家集成电路产业基地、国家半导体照明产业基地和国家863信息安全成果产业化（东部）基地等多个国家级基地。公司成立于2002年，主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发、生产、销售与服务，公司产品可广泛应用于IC制造与先进封装、MEMS、TSV/3D、TFT-OLED等制造领域。
上海微电子的主要产品包括：
600扫描光刻机系列—前道IC制造、500步进光刻机系列—后道IC、MEMS制造、200光刻机系列—AM-OLED显示屏制造、硅片边缘曝光机系列——芯片级封装工艺应用、精密温控系列—光刻机、刻蚀机应用、精密温度控制解决方案。
光刻机的精密程度
6月5日，媒体消息，上海微电子将于—交付第一台28nm国产沉浸式工艺光刻机。
尽管与世界最先进的5nm制程仍有很大差距，但是这标志着偶国的光刻机技术正在突破。
一旦技术成熟，意味着28nm光刻机将在中国问世，这将推动国产芯片的进一步发展，同时也给其他平板印刷厂家带来了信心，这将有助于推动更多的厂家共同打造国产光刻机，提高中国在国际市场之上的竞争力。
大家期待着上海微电子的官宣28nm光刻机。
那么28那么光刻机技术与最先进的ASML的EUV光刻机差距有多少呢？
而最先进的EUV光刻机，在台积电的生产技术下，已经成功量产5nm芯片，苹果A14、麒麟9000已然应用于手机上，3nm工艺制程也在试验阶段，上海微电子的28nm工艺与ASML的5nm工艺相差4代。
这4代之差，不仅仅是简单的数字，更是数十年的经验积累，而10nm以内的设备零部件更是被封锁，7nm、和5nm制作技术也是台积电等企业的核心技术，更是不可求。所以每进步一次，下一步就更困难。
所以，中国的自主光刻机任道而重远，希望大家共同努力。
以上是偶的回答，希望能帮到您，如有不妥之处敬请批评指正。
