等离子体增强,Plasma enhance
1)Plasma enhance等离子体增强
1.A thin Ti layer was first coated as an intermediate layer on the iron substrate,and then followed by TiN layer by means of plasma enhanced magnetron sputtering ion plating.利用等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ），先在铁基体上镀一层很薄的钛中间层，继之沉积ＴｉＮ。
英文短句/例句
1.plasma-enhanced CVD等离子体增强ＣＶＤ
2.Ultra-thin C-N-Si Protective Films Prepared by Plasma Enhanced Deposition;等离子体增强沉积C-N-Si超薄保护膜
3.Deposition of orthorhombic boron nitride films by plasma-enhanced pulsed laser deposition等离子体增强脉冲激光沉积o-BN薄膜
4.Prepared TiN Thin Films by LTP Enhanced Electronic Beam Evaporation;低温等离子体增强电子束蒸发沉积TiN的研究
5.Photoluminescence Enhancement of Silicon-based Semiconductor Materials by Coupling with Metal Surface Plasmon金属表面等离子体增强硅基半导体材料发光
6.Study on Device of Magneto-active Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;磁激活等离子体增强化学气相沉积设备的研制
7.The Study on DLC Films Deposited by PECVD;等离子体增强化学气相沉积DLC膜的研究
8.Numerical Simulation of Interior Ballistic Process Augmentation by Plasma;等离子体增强作用的内弹道过程数值模拟
9.Study on Mechanism of Burn Rate Enhancement of Solid Propellant with Plasma and Modeling of Multidimensional Multiphase Flow;固体发射药燃速的等离子体增强机理及多维多相流数值模拟研究
10.Study on Characteristic of Si_3N_4 Nanopowder Prepared by ICPECVD;ICP等离子体增强化学气相沉积制备纳米粉体氮化硅特性研究
11.MW-ECR Plasma Enhanced Unbalance Magnetron Sputtering and Carbon Nitride Films Preparation;微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术及CN薄膜的制备研究
12.Study on the Characteristics of Propellant Combustion and Flow Enhanced by Thermal Plasma;高热焓等离子体增强含能颗粒床燃烧与流动特性的研究
13.The Study of the Deposition of SiO_2 Films with RF Cold Plasma at Atmospheric-pressure;常压射频低温等离子体增强化学气相沉积二氧化硅薄膜的研究
14.Study of Low Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and the Preparation of Si_3N_4 Thin Film;低温等离子体增强CVD技术及制备氮化硅薄膜的研究
15.Synthesis and Characterization of Carbon Nanotubes by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition;等离子体增强化学气相沉积制备碳纳米管及其表征
16.Preparation and Characterization of Carbon Nanotubes by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition;等离子体增强化学气相沉积方法制备碳纳米管及其表征
17.The Study of Nano-Aperture Optical Probe Array for Surface Plasmon Enhanced T-Density Near Field Optical Storage表面等离子体增强型T密度近场光存储纳孔光探针阵列研究
18.high ionized laser plasma强电离激光等离子体
相关短句/例句
plasma enhancing等离子体增强
1.It is found thatplasma enhancing can enhance growth rate of diamond dramatically.结果表明,等离子体增强法能够明显促进金刚石的生长,而电子促进法的生长速率最慢,甚至慢于偏压等离子体的生长速率;与等离子体促进增强法相比,偏压等离子体增强法的生长速率也有所变慢,并且随着偏压射频电流的增大,其生长速率越来越慢;而传统热丝法的生长速率与沉积金刚石时所选用碳源的分子结构有很大的关系。
3)plasma enhanced CVD等离子体增强CVD
4)enhancement of wave等离子体波增强
5)microwave plasma enhanced微波等离子体增强
1.According to the character of VO2 taking phase transition at near 68 ℃,using the mixture gas of high pure hydrogen and high pure nitrogen as precursor,VO2-xNy thin films are synthesized at low temperature bymicrowave plasma enhanced procesesses using V2O5 as molecular precursors through coating film on glass slice.选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了氮杂二氧化钒(VO2-xNy)样品。
6)Plasma enhanced deposition等离子体增强沉积
延伸阅读
等离子体增强化学气相沉积等离子体增强化学气相沉积plasmaenhanced chemical vapor deposition等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
