【以目前我国的技术水平，造一台全球先进的光刻机需要多少年？5年，还是？】
5月15日，美国商务部再次发布通告，所有给华为进行代工的芯片企业，都需要通过美国的批准才能够进行代工。
同样，5月15日，台积电将在美国花费120亿，建立5纳米工艺制程的工厂，甚至有消息表示，台积电在给华为代工方面可能会有所减少，甚至拒绝。
面对这些，我们突然意识到，芯片自主的重要性。然而要芯片自主，它必须要克服的，第1个困难就是光刻机，我们在光刻机领域目前所能达到的等级，是上海微电子的90纳米工艺制程，而这和台积电能够量产的5nm工艺有着天然的差异；而台积电之所以能够获得这样的工艺，究其根本原因在于ASML的7nm EUV光刻机。
光刻机成了我们的命门。于是我们在想我们目前的技术能否解决光刻机的问题？我们能否让光刻机得到迅速的解决？从而缓解芯片的问题。
事实上，我们从ASML的发展就能知道，目前我国光刻机的困难，到底集中在哪里？
1.来自于美国等国家的限制。我们知道光刻机发展，有一个最重要的协定就是【瓦森纳协议】，这个协议告诉我们，如果我们想发展光刻机技术，就必须要打破这个协议，但是欧美一些国家它不可能让我们能够享受到这种技术的待遇。
2.来自于多种零部件的限制。8万多个零部件来自于全球几百家企业，而这些零部件能不能提供给我们去发展光刻机，技术的限制以及国家的壁垒，都会让我们的光刻机技术受到这些零部件的影响。
3.来自于多种企业的限制。三星，因特尔等等企业作为ASML公司的股东他们其实对于光刻机的需求度相对较高，他们是否允许其它国家企业发展，来影响他们在光刻机的优先使用权？
有人问：我们要打破这种限制，需要多少年？我们真的不能给一个明确的答案，但是我们知道我们一直在努力。中科院等都在日以继夜的发展和突破光刻机技术，我们相信在不久的将来，我们一定会拥有自己的光刻机，不被世界所束缚。
