案件发布｜广发虚假广告，卖假“壮阳药”，涉案1700余万元
近日，南昌市红谷滩区人民检察院对被告蔡某某、柯某某以涉嫌虚假广告罪提起公诉。
经查，被告人蔡某某、柯某某在明知其通过某网络平台购买的“美粒坚”、“金刚狼”、“黑金刚”等压片糖果均为普通食品的情况下，仍委托短信通道商通过第三方短信服务公司全国性发送上述食品有疗效、提升性功能的虚假广告，并在广告短信中加入购买产品的网站链接，致被害人损失共计1700余万元。
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用于高性能范德华堆叠晶体管的少层MnAl2S4电介质
成果介绍
栅极介电层是构建场效应晶体管的重要组成部分。近日，南昌大学周扬波教授和廖霞霞副教授（共同通讯作者）团队报道了层状菱面体结构MnAl2S4晶体的合成，并且可以机械剥离至单层极限。本文系统地研究了少层MnAl2S4薄片的介电性能，它们表现出相对介电常数超过6和约3.9 MV/cm的电击穿场。然后，将原子级光滑的薄MnAl2S4薄片用作电介质顶栅层来实现2D范德华堆叠场效应晶体管，使用MoS2作为沟道材料。制造的晶体管可以在0.1 V的小漏源电压和±2 V范围内的栅极电压下工作，在0.5 V时表现出超过107的大开关比和80 mV/dec的低亚阈值摆幅。本文的研究工作表明，少层MnAl2S4可以作为介电层来实现高性能的2D晶体管，从而拓宽了对高κ 2D材料的研究，并可能为未来开发低功耗的低维电子器件提供新的机会。
图文导读
图1. MnAl2S4晶体的表征。
图2. 少层MnAl2S4薄片的性能。
图3. 少层MnAl2S4薄片的介电性能。
图4. MnAl2S4作为2D FETs的顶栅电介质。
文献信息
Few-Layered MnAl2S4 Dielectrics for High-Performance van der Waals Stacked Transistors
(ACS Appl. Mater. Interfaces, , DOI:10.1021/acsami.2c04477)
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